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扬杰科技署名论文解析SiC MOSFET半桥栅极串扰：高dv/dt经非线性米勒电容Cgd向关断管栅极注入位移电流，叠加驱动阻抗与公共电感形成Vgs尖峰。抑制需从驱动、寄生参数和器件结构协同入手，并以C–V数据、双脉冲波形及损耗可靠性共同验证。

本文详解碳化硅SiC MOSFET八大技术问题，包括负压关断对导通电阻与关断损耗的影响、栅极氧化层失效原因及优化、可靠性与寿命验证、非对称沟槽栅电场缓解、阈值电压漂移、1700V器件12V驱动、Cox与Cgs/Cgd关系，以及动态HTGB和稳态HTGB对比，为SiC MOSFET设计与···

针对碳化硅MOSFET开关速度高、驱动可靠关断区间小导致桥臂串扰突出的问题，建立桥臂串扰电路模型，分析暂态过程与串扰电压极值，提出安全工作区模型，并设计具有串扰抑制功能的栅极驱动电路，最后通过仿真和实验验证模型可行性与驱动电路有效性。